Black Silicon Cell(5BB)

Black Silicon Cell(5BB)

Ningbo Fullstar Solaris Co., Ltd.
Tipo Cella: Policristallino
Fascia di Potenza: 4,668~4,816 Wp
Regione: Cina Cina
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Prodotto Alternativo

A partire da €0,0711 / Wp
  • Potenza Massima: 5,23 W
  • Tipo Cella: Monocristallino
  • Dimesioni: 156,75×156,75 mm
  • Diagonale: --
  • Spessore Della Cella: 170 µm

Caratteristiche del Prodotto

Numero Modello
4,668W 4,693W 4,718W 4,742W 4,767W 4,791W 4,816W
Caratteristiche del Prodotto  
Tecnologia celle Policristallino
Dimesioni 156,75×156,75 mm
Spessore Della Cella 200 ± 20 µm
Superfice (fronte) (-)  
Numero di Barre Collettrici 5
Larghezza della Barra Collettrice 0,7±0,1 mm
Materiale della sbarra collettrice Argento
Rivestimento Anti-Riflesso Nitruro di silicio
Superfice (retro) (+)  
Numero delle placche di saldatura 5
Larghezza delle Placche di Saldatura 1,7±0,1 mm
Materiale delle placche di saldatura Argento
Materiale superfice (retro) (BSF) Alluminio
Dati elettrici in condizioni standard  
Potenza Massima (Pmax)
4,668 W 4,693 W 4,718 W 4,742 W 4,767 W 4,791 W 4,816 W
Tensione alla Massima Potenza (Vmpp)
0,545 V 0,547 V 0,548 V 0,55 V 0,552 V 0,561 V 0,562 V
Corrente alla massima potenza (Impp)
8,565 A 8,58 A 8,609 A 8,622 A 8,636 A 8,665 A 8,687 A
Tensione a Vuoto (Voc)
0,643 V 0,645 V 0,647 V 0,649 V 0,651 V 0,662 V 0,663 V
Corrente di corto circuito (Isc)
9,079 A 9,094 A 9,126 A 9,139 A 9,154 A 9,185 A 9,208 A
Efficenza della Cella
19 % 19,1 % 19,2 % 19,3 % 19,4 % 19,5 % 19,6 %
Fattore di riempimento (FF)
79,96 % 80,01 % 79,9 % 79,95 % 79,99 % 79,95 % 79,97 %
Valutazioni di Temperatura  
Coefficiente di Temperatura di Pmax -0,36 %/˚C
Coefficiente di Temperatura di Voc -0,36 %/˚C
Coefficiente di Temperatura di Isc 0,06 %/˚C
Dipendenza dell’ intensita’
Intensita’
Voc
Vmpp
1000 W/m2
1
--
900 W/m2
0,99
--
800 W/m2
0,99
--
500 W/m2
0,97
--
300 W/m2
0,94
--
200 W/m2
0,91
--
PDF  
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Ningbo Fullstar Solaris Co., Ltd.

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www.fullstar.hk
Cina
No. 66, Haichuan Road, Jiangbei, Ningbo, Zhejiang, 315032
Società Capogruppo: Fuxing Group
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