6'' Mono

MOSPEC Semiconductor Corporation

Prezzo per Pezzo
Quantità Minima	50000+ Pz
23.2	€0,319

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80,05 ~ 83,05 %

22,0 ~ 23,7 %

7,26 ~ 7,79 Wp

182x182 mm

150 µm

0.1±0.02 mm

Fattore di riempimento

74,9 - 77,13 %

Efficenza della Cella

17 - 18,49 %

Tecnologia

Monocristallino

Fascia di Potenza

4,07 - 4,4 Wp

Regione

Taiwan

Dimensioni

156×156 mm

Spessore Della Cella

180 ± 30 µm

Numero di Barre Collettrici

Larghezza della Barra Collettrice

75 mm

Numero delle placche di saldatura

Larghezza delle Placche di Saldatura

75 mm

Informazioni del Prodotto
Profilo Della Compagnia

Caratteristiche del Prodotto

Numero modello

6S 170

6S 171

6S 172

6S 173

6S 174

6S 175

6S 176

6S 177

6S 178

6S 179

6S 180

6S 181

6S 182

6S 183

6S 184

Tecnologia celle

Monocristallino

Dimesioni

156×156 mm

Diagonale

200±1 mm

Spessore Della Cella

180 ± 30 µm

Numero di Barre Collettrici

Larghezza della Barra Collettrice

75 mm

Rivestimento Anti-Riflesso

Nitruro di silicio

Numero delle placche di saldatura

Larghezza delle Placche di Saldatura

75 mm

Potenza Massima (Pmax)

4,07 W

4,09 W

4,11 W

4,14 W

4,17 W

4,19 W

4,21 W

4,24 W

4,26 W

4,28 W

4,31 W

4,33 W

4,35 W

4,38 W

4,4 W

Tensione alla Massima Potenza (Vmpp)

0,506 V

0,507 V

0,508 V

0,509 V

0,511 V

0,512 V

0,513 V

0,515 V

0,516 V

0,517 V

0,519 V

0,52 V

0,521 V

0,522 V

0,523 V

Corrente alla massima potenza (Impp)

8,04 A

8,06 A

8,1 A

8,14 A

8,16 A

8,18 A

8,21 A

8,23 A

8,25 A

8,28 A

8,31 A

8,32 A

8,35 A

8,39 A

8,42 A

Tensione a Vuoto (Voc)

0,62 V

0,621 V

0,622 V

0,623 V

0,624 V

0,625 V

0,626 V

0,627 V

0,628 V

0,629 V

0,63 V

0,631 V

0,632 V

0,633 V

Corrente di corto circuito (Isc)

8,76 A

8,77 A

8,78 A

8,8 A

8,82 A

8,84 A

8,86 A

8,88 A

8,89 A

8,9 A

8,92 A

8,93 A

8,96 A

8,99 A

9,02 A

Efficenza della Cella

17-17,09 %

17,1-17,19 %

17,2-17,29 %

17,3-17,39 %

17,4-17,49 %

17,5-17,59 %

17,6-17,69 %

17,7-17,79 %

17,8-17,89 %

17,9-17,99 %

18-18,09 %

18,1-18,19 %

18,2-18,29 %

18,3-18,39 %

18,4-18,49 %

Fattore di riempimento (FF)

74,9 %

75,03 %

75,35 %

75,57 %

75,76 %

75,8 %

75,94 %

76,12 %

76,25 %

76,59 %

76,87 %

76,9 %

76,95 %

77,08 %

77,13 %

Coefficiente di temperatura di Pmax

-0,45 %/˚C

Coefficiente di temperatura di Voc

-0,35 %/˚C

Coefficiente di temperatura di Isc

0,04 %/˚C

Dipendenza dell’ intensita’

Intensita’

Voc

Vmpp

1000 W/m²

800 W/m²

0,989

500 W/m²

0,968

300 W/m²

0,946

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Scheda Dati

MOSPEC Semiconductor Corporation

: Click to show company phone
: https://www.mospec.com.tw
: Taiwan
: No.76, Chungshan Road, Hsinshin Township, Tainan

Contatti Utili

Kevin