5'' Mono

MOSPEC Semiconductor Corporation
Fattore di riempimento
75,52 - 78,07 %
Efficenza della Cella
17 - 18,69 %
Tecnologia
Monocristallino
Fascia di Potenza
2,64 - 2,87 Wp
Regione
Taiwan Taiwan
Dimensioni
125×125 mm
Spessore Della Cella
190 ± 30 µm
Numero di Barre Collettrici
2
Larghezza della Barra Collettrice
62 mm
Numero delle placche di saldatura
2

Caratteristiche del Prodotto

Numero modello
5L 170 5L 171 5L 172 5L 173 5L 174 5L 175 5L 176 5L 177 5L 178 5L 179 5L180 5L 181 5L 182 5L 183 5L 184 5L 185 5L 186
Tecnologia celle Monocristallino
Dimesioni 125×125 mm
Diagonale 165±1 mm
Spessore Della Cella 190 ± 30 µm
 
Numero di Barre Collettrici 2
Larghezza della Barra Collettrice 62 mm
Rivestimento Anti-Riflesso Nitruro di silicio
 
Numero delle placche di saldatura 2
 
Potenza Massima (Pmax)
2,64 W 2,65 W 2,66 W 2,68 W 2,7 W 2,72 W 2,73 W 2,75 W 2,77 W 2,78 W 2,8 W 2,81 W 2,82 W 2,83 W 2,85 W 2,86 W 2,87 W
Tensione alla Massima Potenza (Vmpp)
0,514 V 0,515 V 0,516 V 0,517 V 0,519 V 0,519 V 0,52 V 0,523 V 0,524 V 0,525 V 0,525 V 0,525 V 0,526 V 0,526 V 0,527 V 0,527 V 0,528 V
Corrente alla massima potenza (Impp)
5,13 A 5,15 A 5,16 A 5,18 A 5,2 A 5,24 A 5,25 A 5,26 A 5,29 A 5,3 A 5,33 A 5,35 A 5,37 A 5,39 A 5,41 A 5,43 A 5,45 A
Tensione a Vuoto (Voc)
0,628 V 0,628 V 0,628 V 0,629 V 0,63 V 0,63 V 0,63 V 0,631 V 0,632 V 0,632 V 0,633 V 0,633 V 0,634 V 0,634 V 0,634 V 0,636 V 0,638 V
Corrente di corto circuito (Isc)
5,56 A 5,57 A 5,58 A 5,59 A 5,6 A 5,63 A 5,66 A 5,69 A 5,71 A 5,71 A 5,72 A 5,72 A 5,73 A 5,75 A 5,76 A 5,79 A 5,8 A
Efficenza della Cella
17-17,09 % 17,1-17,19 % 17,2-17,29 % 17,3-17,39 % 17,4-17,49 % 17,5-17,59 % 17,6-17,69 % 17,7-17,79 % 17,8-17,89 % 17,9-17,99 % 18-18,09 % 18,1-18,19 % 18,2-18,29 % 18,3-18,39 % 18,4-18,49 % 18,5-18,59 % 18,6-18,69 %
Fattore di riempimento (FF)
75,52 % 75,82 % 75,98 % 76,17 % 76,5 % 76,67 % 76,56 % 76,62 % 76,81 % 77,1 % 77,28 % 77,57 % 77,75 % 77,77 % 78,07 % 77,71 % 77,76 %
 
Coefficiente di temperatura di Pmax -0,45 %/˚C
Coefficiente di temperatura di Voc -0,44 %/˚C
Coefficiente di temperatura di Isc -0,044 %/˚C
Dipendenza dell’ intensita’
Intensita’
Voc
Vmpp
1000 W/m2
1
--
800 W/m2
0,989
--
500 W/m2
0,968
--
300 W/m2
0,946
--
 
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MOSPEC Semiconductor Corporation

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Taiwan Taiwan
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